近日三星電子宣布，公司已成功開發(fā)出首款采用12納米級工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM。目前，三星電子已經(jīng)與AMD完成了針對該新品的兼容性產(chǎn)品評估。

據(jù)三星電子方面透露，新款DRAM將成為下一代計算、數(shù)據(jù)中心和AI驅(qū)動系統(tǒng)等領(lǐng)域更可持續(xù)運(yùn)營的基礎(chǔ)。AMD方面則表示，AMD與三星電子的再度合作，主要圍繞在Zen平臺上優(yōu)化和驗證的DDR5內(nèi)存產(chǎn)品展開。

三星電子12納米級DDR5 DRAM的技術(shù)突破，通過使用一種新的高介電（high-k）材料來增加電池電容，以及改進(jìn)關(guān)鍵電路特性的專利設(shè)計技術(shù)而實現(xiàn)的。結(jié)合先進(jìn)的多層極紫外光刻技術(shù)，新款DRAM擁有三星最高的DDR5 Die密度，可使晶圓生產(chǎn)率提高20%。在傳輸速度上，三星12nm級DRAM基于DDR5最新標(biāo)準(zhǔn)，擁有7.2千兆每秒（Gbps）的傳輸速度，一秒內(nèi)可處理兩部30GB超高清電影。

功耗方面，與上一代三星DRAM產(chǎn)品相比，12nm級DRAM的功耗降低約23%。三星電子透露，新款DRAM將于2023年量產(chǎn)，同時公司還計劃將新DRAM產(chǎn)品擴(kuò)展到更廣泛的市場領(lǐng)域。。